1N5809US
OMRON AUTOMATION & SAFETYKuvat ovat vain viitteitä.
Katso tuotetiedot tuotetiedot.
Osta 1N5809US luotettavasti Components-World.HK: sta, 1 vuoden takuu
Katso tuotetiedot tuotetiedot.
Osta 1N5809US luotettavasti Components-World.HK: sta, 1 vuoden takuu
Pyydä tarjous
| Osa numero | 1N5809US |
|---|---|
| Valmistaja | Microsemi |
| Kuvaus | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
| vertailuhinta (Yhdysvaltain dollareina) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.968 | $3.571 | $2.936 | $2.46 | ||
- Tuoteparametri
- Tietolomake
Product parameter
| Osa numero | 1N5809US | Valmistaja | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Kuvaus | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | Lyijytön tila / RoHS-tila | Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
| Määrä saatavilla | 12242 pcs | Tietolomake | 1N5807,09,11 US/URS |
| Kategoria | Discrete Semiconductor Products | Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos | 875mV @ 4A |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | Toimittaja Device Package | B, SQ-MELF |
| Nopeus | Fast Recovery = 200mA (Io) | Sarja | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | 30ns | Pakkaus | Bulk |
| Pakkaus / Case | SQ-MELF, B | Käyttölämpötila - liitäntä | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi | Surface Mount | Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 7 Weeks | Lyijytön tila / RoHS-tila | Contains lead / RoHS non-compliant |
| diodi Tyyppi | Standard | Yksityiskohtainen kuvaus | Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 5µA @ 100V | Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 3A |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
- Liittyvät tuotteet
- Aiheeseen liittyviä uutisia
Liittyvät tuotteet
- Osa#:
1N5809US.TR - valmistajat:
Semtech - Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 6A - Varastossa:
5828
- Osa#:
1N5811C.TR - valmistajat:
Semtech - Kuvaus:
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL - Varastossa:
31411
