APT84M50B2
OMRON AUTOMATION & SAFETYKuvat ovat vain viitteitä.
Katso tuotetiedot tuotetiedot.
Osta APT84M50B2 luotettavasti Components-World.HK: sta, 1 vuoden takuu
Katso tuotetiedot tuotetiedot.
Osta APT84M50B2 luotettavasti Components-World.HK: sta, 1 vuoden takuu
Pyydä tarjous
| Osa numero | APT84M50B2 |
|---|---|
| Valmistaja | Microsemi |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| vertailuhinta (Yhdysvaltain dollareina) | Get a quote | ||||
- Tuoteparametri
- Tietolomake
Product parameter
| Osa numero | APT84M50B2 | Valmistaja | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX | Lyijytön tila / RoHS-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Määrä saatavilla | 5058 pcs | Tietolomake | Power Products CatalogAPT84M50(B2,L) |
| Kategoria | Discrete Semiconductor Products | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | T-MAX™ [B2] | Sarja | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V | Tehonkulutus (Max) | 1135W (Tc) |
| Pakkaus | Tube | Pakkaus / Case | TO-247-3 Variant |
| Muut nimet | APT84M50B2MI APT84M50B2MI-ND |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole | Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 500V | Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 84A (Tc) |
- Liittyvät tuotteet
- Aiheeseen liittyviä uutisia
Liittyvät tuotteet
- Osa#:
APT85GR120J - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP - Varastossa:
3134
- Osa#:
APT85GR120L - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 1200V 170A 962W TO264 - Varastossa:
6935
- Osa#:
APT80GP60J - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 600V 151A 462W SOT227 - Varastossa:
3372
- Osa#:
APT80GA90B - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 900V 145A 625W TO247 - Varastossa:
11585
- Osa#:
APT85GR120B2 - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 1200V 170A 962W TO247 - Varastossa:
7879
- Osa#:
APT85GR120JD60 - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP - Varastossa:
2937
- Osa#:
APT90DR160HJ - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
DIODE MODULE 1.6V SOT227 - Varastossa:
6167
- Osa#:
APT80GA60LD40 - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 600V 143A 625W TO264 - Varastossa:
9433
- Osa#:
APT8DQ60KCTG - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 - Varastossa:
4000
- Osa#:
APT94N60L2C3G - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 94A TO264 - Varastossa:
3783
- Osa#:
APT80GA90LD40 - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 900V 145A 625W TO-264 - Varastossa:
6238
