APT75F50B2
OMRON AUTOMATION & SAFETYKuvat ovat vain viitteitä.
Katso tuotetiedot tuotetiedot.
Osta APT75F50B2 luotettavasti Components-World.HK: sta, 1 vuoden takuu
Katso tuotetiedot tuotetiedot.
Osta APT75F50B2 luotettavasti Components-World.HK: sta, 1 vuoden takuu
Pyydä tarjous
| Osa numero | APT75F50B2 |
|---|---|
| Valmistaja | Microsemi |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| vertailuhinta (Yhdysvaltain dollareina) | 60 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.126 | |||||
- Tuoteparametri
- Tietolomake
Product parameter
| Osa numero | APT75F50B2 | Valmistaja | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Kuvaus | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | Lyijytön tila / RoHS-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Määrä saatavilla | 5270 pcs | Tietolomake | APT75F50B2,50L |
| Kategoria | Discrete Semiconductor Products | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | T-MAX™ [B2] | Sarja | POWER MOS 8™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V | Tehonkulutus (Max) | 1040W (Tc) |
| Pakkaus | Tube | Pakkaus / Case | TO-247-3 Variant |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | Valmistajan toimitusaika | 21 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V | FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - | Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 500V | Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
- Liittyvät tuotteet
- Aiheeseen liittyviä uutisia
Liittyvät tuotteet
- Osa#:
APT75GN120J - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - Varastossa:
4849
- Osa#:
APT75GN120JDQ3G - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - Varastossa:
5574
- Osa#:
APT75GN120B2G - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 1200V 200A 833W TMAX - Varastossa:
6228
- Osa#:
APT75DL120HJ - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
MOD DIODE 1200V SOT-227 - Varastossa:
4864
- Osa#:
APT70GR65B2SCD30 - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Varastossa:
5487
- Osa#:
APT75DF170HJ - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
MOD DIODE 1700V SOT-227 - Varastossa:
3320
- Osa#:
APT75GN60B2DQ3G - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 600V 155A 536W TO264 - Varastossa:
5086
- Osa#:
APT75GP120B2G - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX - Varastossa:
3990
- Osa#:
APT75DQ100BG - valmistajat:
Microsemi Corporation - Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 - Varastossa:
23286
- Osa#:
APT75GN60BG - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 600V 155A 536W TO247 - Varastossa:
21546
- Osa#:
APT75GN120JDQ3 - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227 - Varastossa:
4478
- Osa#:
APT75GN120LG - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 1200V 200A 833W TO264 - Varastossa:
7890
- Osa#:
APT75DQ60BG - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 - Varastossa:
36120
- Osa#:
APT75DQ120BG - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 - Varastossa:
30592
- Osa#:
APT75GN60LDQ3G - valmistajat:
Microsemi - Kuvaus:
IGBT 600V 155A 536W TO264 - Varastossa:
11814